用于基于 CMOS（互补金属氧化物半导体）的 SWIR（短波红外）传感和成像的 GeSi（锗硅）光子技术的知名领导者 Artilux 日前宣布推出Artilux的研究团队在推进SWIR GeSi SPAD（单光子雪崩二极管）技术方面取得了突破，该技术得到了世界上最负盛名的科学期刊之一《自然》的认可并发表。这篇题为“ GeSi单光子雪崩二极管的室温操作”的论文介绍了高性能GeSi雪崩光电二极管在室温下的盖革模式操作，过去仅限于在低于以下的低温下操作至少 200 开尔文。Nature 严格的同行评审流程确保只发表最高水平和最广泛兴趣的研究，而论文在 Nature 上的接受和发表是体现 Artilux 在基于 CMOS 的 SWIR 传感和成像领域领导地位的另一个关键标志。

Artilux on Nature：室温操作的锗硅单光子雪崩二极管

由Artilux 首席技术官Neil Na博士领导的这项研究工作推出了一种在室温和高温下运行的 CMOS 兼容的 GeSi SPAD，其噪声等效功率比之前演示的基于 Ge 的 SPAD 提高了几个数量级。该论文展示了 GeSi SPAD 在低击穿电压和小过量偏压下的关键参数，包括暗计数率、短波红外光谱下的单光子检测概率、定时抖动、后脉冲特征时间和后脉冲概率。作为概念证明，使用 GeSi SPAD 通过 TOF（直接飞行时间）技术捕获了三维点云图像。Na 博士说：“当我们开始这个项目时，文献中有大量证据表明 GeSi SPAD 的室温操作根本不可能，我为我们的团队将科学研究转化为商业成果感到自豪。”现实与一切困难。”

这一发现为 CMOS 光子学树立了新的里程碑。单光子敏感短波红外传感器、成像仪和光子集成电路的潜在部署将解锁 TOF 传感器和成像仪、LiDAR（光探测和测距）、生物光子学、量子计算和通信、人工智能、机器人和更多的。Artilux 致力于继续保持其在 CMOS 光子技术领域的领先地位，旨在进一步为科学界和光子行业做出贡献。

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